Rūpniecisku silīcija monokristālu fragmenti (koniskie gali). Kristālu diametrs sasniedz 300mm, bet garums - vairākus metrus. Kristālu cilindriskā daļa tikusi sazāģēta plāksnēs, lai no tām ražotu mikroelektronikas komponentes. Avots: VTPMML fotogrāfiju arhīvs.

Pateicoties SIA "Mikrotīkls" ziedojumam, Latvijas Universitātes Vides tehnoloģisko procesu matemātiskās modelēšanas laboratorijā (VTPMML) tiks realizēts projekts "Eksperimentālas laboratorijas kristālu audzēšanas iekārtas izveide".

Pusvadītāju mikroelektronika ir liels tirgus segments ar vairāku simtu miljardu eiro apgrozījumu, kurš bāzēts uz pusvadītāju monokristālu, it īpaši silīcija, plāksnēm, kuru iegūšanā pirmais tehnoloģiski sarežģītais process ir monokristālu izaudzēšana. Arī 40% saules bateriju ražošanā tiek izmantots monokristālisks silīcijs, kas galvenokārt tiek iegūts ar Čohraļska un peldošās zonas metodēm. Šī projekta gaitā no 2017. gada marta līdz decembrim tiks izveidota maza izmēra, eksperimentāla laboratorijas kristālu audzēšanas iekārta ar Čohraļska tipa konstrukciju. Iekārtā ar elektriska sildītāja palīdzību tiks kausēti kālija hlorīda un rubīdija hlorīda polikristāli. Ar aizmetņa kristāla palīdzību pieskaroties izkausētajam materiālam un to ar atbilstošu ātrumu velkot augšup, iespējams panākt, ka veidojas vēlamas formas monokristālisks materiāls. Iekārta tiks aprīkota ar mērierīcēm un kontroles iekārtām, lai būtu iespējams veikt eksperimentus kristālu audzēšanā un procesa automatizācijā. Tādējādi būs iespējams attīstīt un verificēt VTPMML izstrādātos matemātiskos modeļus, kas tālāk tiek izmantoti lielu, industriālu Čohraļska kristālu audzēšanas iekārtu modelēšanai un uzlabošanai. Šī projekta realizācija attīstīs un pilnveidos VTPMML pētniecības iespējas kristālu audzēšanas iekārtu jomā, tiks celta projektā iesaistīto cilvēkresursu kvalifikācija, kā arī radīta iespēja šim pētniecības virzienam piesaistīti jaunus pētniekus. Pateicoties SIA "Mikrotīkls" ziedojumam, LU pētnieki būs spējīgi veiksmīgāk iesaistīties nākotnes mikroelektronikas pusvadītāju materiālu ražošanas tehnoloģiju izveidē un attīstībā

Share